本發(fā)明涉及一種晶片干洗系統(tǒng)，更詳細地說，涉及一種能夠提高對晶片的干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)，可以提高晶片的干燥效率。

上述干燥劑系統(tǒng)將低表面張力的異丙醇蒸氣噴射到晶片的表面，使存在于上述晶片表面的去離子水干燥，干洗系統(tǒng)配備充有去離子水的殼體及充有異丙醇的液罐，殼體內(nèi)內(nèi)置晶片，所述液罐設有產(chǎn)生異丙醇蒸氣的泡泡器，殼體的上部安裝有內(nèi)置第一散流器的引擎蓋，所以殼體的兩側(cè)部分別安裝有第二和第三散流器。第一至第三散流器收納所述異丙醇蒸氣，分別向晶片的上部及兩側(cè)部噴射，異丙醇蒸氣由來自氮源的套利性氮氣傳遞到所述第一至第三間雜波，異丙醇蒸氣由上述第一至第三散流器向晶片的上部及兩側(cè)部噴射，從而提高了對晶片的干燥效率。

為了提高半導體元件的質(zhì)量，必須通過清洗工藝，由于上述脫離子水具有溶解硅的性質(zhì)，必須完全干燥晶片，以避免在清洗工藝后形成脫離子水中的水斑（WATER SPOT）。為了提高對上述晶片的干燥效率，近年來采用了利用馬蘭戈尼效應(MARANGONI)EFFECT)的干燥方法，馬蘭戈尼干燥方法是在一個液區(qū)存在兩個不同表面張力區(qū)的情況下，利用液從表面張力小的區(qū)域向表面張力大的區(qū)域流動的原理對晶片進行干燥。

圖1顯示以往晶片干燥用馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的概略圖

如圖1中所城示的那樣，以往晶片干洗系統(tǒng)具有內(nèi)置晶片的殼體和充有異丙基醇(IPA)的液罐，殼體的內(nèi)部充有去離子水(DIW)，所述液罐內(nèi)設有產(chǎn)生異丙醇蒸氣的冒泡器，在殼體的上部，安裝有散流器的引擎蓋。

圖2是用于顯示上述殼體和引擎蓋的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。如城市在圖2中的吧臺，在上述殼體的兩側(cè)壁上形成了用于引導上述晶片上下移動的引導槽，所述晶片布置在所述導向槽內(nèi)并上下移動，因此，所述晶片的上下移動沿著所述導向槽穩(wěn)定地進行。

圖3是截取圖2的A-A部的剖面圖

參照圖3，在所述引擎蓋的底面上形成了用于破斷移至所述殼體上部的晶片的系合槽。所述系合槽用于使已完成干燥工藝的晶片與所述殼體分離；該小定位置形成了一個噴射孔，該噴射孔將從上述散裂器噴射的異丙基醇蒸氣引導到上述殼體內(nèi)。

首先，當利用去離子水的清洗工序完成后，針對晶片的干燥工序啟動時，升降機被驅(qū)動，使上述晶片從去離子水慢慢向上移動。如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的晶片干洗系統(tǒng)在晶片的表面均勻地添加了異丙基，采用醇基蒸氣噴射，具有使用適量異丙基醇蒸氣使晶片干燥良好的優(yōu)點。此外，根據(jù)本發(fā)明的晶片干洗系統(tǒng)利用馬蘭戈尼效應去除晶片表面存在的脫二熱水，因此在干燥工藝完成后晶片上不會出現(xiàn)水斑等；使優(yōu)質(zhì)的半導體元件生產(chǎn)成為可能。以上說明了本發(fā)明參考可取的實施例，在本發(fā)明的技術(shù)思想范疇內(nèi)，可以進行各種改良或變形，而這些改良或變形也屬于本發(fā)明，這一點，是可以認知的，為了克服上述以往技術(shù)中存在的問題，目的是提供能夠提高晶片干燥效率的馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)。